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실리콘카바이드(SiC) 고효율 전력반도체 기판 분석 기반조성 신규과제
산업통상부(부처)한국산업기술진흥원(전담기관)
SiC 전력반도체 기판 분석 기반 구축을 통해 국내 반도체 소재·소자 산업 경쟁력 강화 및 차세대 전력반도체 공공 인프라 확장 기반을 마련하는 사업. 8인치 SiC 전력반도체 기판 특성 분석을 위한 인프라구축 및 관련 공정 시험평가 등 기술지원을 추진한다.
기본 정보
접수기간2026.03.11 ~ 2026.04.09지원유형자금지원, R&D지원, 공간지원지원금액총 정부지원연구개발비 100억원 내외최대금액10,000,000,000원지원기간2026. 4. ~ 2029. 12. (45개월 이내, 단계구분 없이 추진)선정규모총 1개 과제자부담정부지원연구개발비는 연구개발비(건축비 등 제외)의 70% 이내에서 지원신청방법범부처통합연구지원시스템(www.iris.go.kr)에 온라인 등록
대상 업종
IT/소프트웨어제조
창업 연수 제한
창업 후 -1년 이내
자격 요건
비영리기관(단독 또는 컨소시엄) - 「산업기술혁신촉진법」 제19조 제2항에 의거한 연구기관, 대학 그 밖에 대통령령으로 정하는 기관ㆍ단체
선정 기준
사업목표 명확성(10점): 목표 설정의 타당성 및 구체성, 성과지표의 설정근거 및 측정방법 적절성. 추진체계 및 보유 역량(25점): 추진체계 적절성, 연구개발 보유역량. 사업내용타당성(45점): 추진전략 적정성, 연구시설·장비구축 타당성, 기업지원 적절성, 연구개발비 적절성. 성과확산효과(20점): 사업지속가능성, 파급효과
필요 서류
1. 연구개발계획서(HWP) 2. 연구개발기관 대표의 참여의사 확인서(PDF) 3. 개인정보 및 과세정보 제공활용동의서(PDF) 4. 연구윤리·청렴 및 보안서약서(PDF) 5. 현금·현물 납입확약서(지자체)(PDF, 해당시) 6. 현금·현물 납입확약서(연구개발기관용)(PDF, 해당시) 7. 신청자격 적정성 확인서(PDF) 8. 전용공간 확보계획서(PDF) 9. 법인등기부 등본, 사업자등록증, 연구책임자 재직증명서 사본(PDF)
문의처
원문 링크
첨부파일
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원문 링크: https://www.iris.go.kr/contents/retrieveBsnsAncmView.do?ancmId=019747&ancmPrg=ancmIng